石墨烯晶体生长炉

【产品名称】石墨烯晶体生长炉

【额定温度】1200℃

【控温精度】±1℃ 

【应用领域】高质量石墨烯的可控制备是各种基础研究和应用开发的基础,是迫切需要进行深入研究的重大基础科学问题之一。石墨烯的可控制备涉及到对其大小、形貌、边界、晶体结构、掺杂等方面的控制。石墨烯晶体生长炉以化学气相沉积方法(CVD)生长石墨烯，大尺寸石墨烯产品的制备，炉管管径200mm，加热区2000mm，12个温区多段控制，计算机DCS集成控制，温场梯度控制，温场稳定，均匀，产成品高。

产品特点

炉外壳

1、外壳采用金属Q235低碳钢，表面静电耐药涂装，抗腐蚀

2、 坚固的双层金属框架配合隔热风扇结构，炉表面温度低

3、水平使用方式，上开盖结构，操作方便

耐火材料

多层隔热设计，由轻质氧化铝陶瓷纤维和高品质隔热板背衬组成，不含石棉成分，热损失小，能耗低

加热系统    

1、高品质HRE螺旋电阻丝发热体，牢固的镶嵌在炉膛表面，在炉腔内自由热辐射加热，使用寿命长

2、电阻丝环形加热，从而实现炉内的良好均匀性

温度控制面板

1、PID配合SSR控制方式，温度控制准确

2、国际标准化N型镍铬硅热电偶，测温范围0-1300℃，使用寿命长

3、炉门带有开门断电保护开关

程序控制器

1、适应复杂工艺需求的的控制器

2、操作简单直接，编程灵活

3、可编程4条曲线，单条曲线8个程序段

4、超温和故障报警，自动进行保护

真空气氛功能

1、带有304不锈钢的密封法兰，获得炉管内的真空或者气氛

2、高品质石英玻璃工作管，也可选择金属或刚玉材质的工作管，从而适应不同的工况